本發(fā)明公開了一種有機(jī)薄膜晶體管,包括Si基板,其特征在于:所述Si基板的背面設(shè)置柵電極,所述Si基板的正面設(shè)置有單層或者多層有機(jī)柵絕緣膜,所述有機(jī)柵絕緣膜的上端蒸鍍有漏電極和源電極,所述漏電極、源電極和有機(jī)柵絕緣膜的表面覆蓋有有機(jī)半導(dǎo)體膜。該晶體管引入了有機(jī)絕緣層,代替?zhèn)鹘y(tǒng)的SiO2絕緣層,降低了工藝溫度,簡(jiǎn)化了制作過(guò)程,可在常溫下制備,并且適合大面積器件的制作。
聲明:
“有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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