本發(fā)明公開了一種二氨基吡啶?草酸型晶體化合物及其制備方法與應用。本發(fā)明晶體化合物通過室溫條件下將2,6?二氨基吡啶和草酸在乙腈溶劑中在25℃下蒸發(fā)6~8天得到,該晶體化合物為氫鍵型三維網狀結構,通過兩個2,6?二氨基吡啶分子和兩個草酸離子之間的N?H…O氫鍵連接。本發(fā)明晶體化合物具有高溫介電異常,并存在類似階梯狀的介電常數,可以作為潛在的高溫記憶性材料;本發(fā)明晶體化合物合成溫度低,室溫的條件下就可以很好的合成,降低成本,不含有任何重金屬,降低了環(huán)境污染,有很大的市場潛力。
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“二氨基吡啶?草酸型晶體化合物及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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