本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。所述方法包括:提供第一晶圓,在所述第一晶圓表面上形成有接合環(huán)和覆蓋所述接合環(huán)的停止層;蝕刻部分厚度的所述停止層,以在所述接合環(huán)的內(nèi)外兩側(cè)形成凹槽和通過所述凹槽與所述接合環(huán)間隔的停止環(huán),其中,所述凹槽露出所述接合環(huán)的部分側(cè)壁;執(zhí)行清洗步驟,以去除所述蝕刻過程中在所述接合環(huán)的側(cè)壁上形成的殘留物。在所述方法中在所述接合環(huán)兩側(cè)形成所述停止環(huán)的過程中僅部分地蝕刻所述停止層,而不完全去除所述第一晶圓表面的所述停止層,使所述停止層繼續(xù)覆蓋所述第一晶圓的表面,從而對(duì)所述第一晶圓形成保護(hù),避免在清洗步驟中對(duì)所述第一晶圓造成損失。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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