本申請?zhí)峁┝艘环N光電探測晶體管,包括逐層堆疊的襯底、底柵電極、底柵介質(zhì)層、有源層、頂柵介質(zhì)層、和頂柵電極;其中所述有源層包括具有光記憶功能的
半導(dǎo)體材料,在所述有源層中包括溝道和源漏電極,并且所述光電探測晶體管的頂柵電極采用透明導(dǎo)電材料;其中所述源漏電極是通過對相應(yīng)區(qū)域的所述有源層材料進(jìn)行等離子體處理獲得。本申請還公開了相應(yīng)的制備光電探測晶體管和利用其感光的方法。
聲明:
“光電探測晶體管及其制造方法及相應(yīng)的光電探測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)