本發(fā)明涉及一種納米級(jí)高強(qiáng)度、導(dǎo)電性TiO2-Si3N4
復(fù)合材料的制備方法,其特征在于首先用非均相沉淀法制備銳鈦礦型納米TiO2-Si3N4復(fù)合粉體,由納米TiO2-Si3N4復(fù)合粉體原位氮化制成氧化鈦-氮化硅復(fù)合粉體,然后原位氮化制成TiN-Si3N4復(fù)合粉體,加入Y2O3、Al2O3添加劑,制成TiN-Si3N4-Al2O3-Y2O3復(fù)合粉體,將TiN-Si3N4-Al2O3-Y2O3的復(fù)合粉體熱壓燒結(jié)而制成高強(qiáng)度、導(dǎo)電性的TiO2-Si3N4復(fù)合材料;復(fù)合材料中TiN/Si3N4=5/87~25/67,Al2O3為3,Y2O3為5(均為vol%)。本發(fā)明提供的方法制備的TiN-Si3N4中TiN/Si3N4=5/87~25/67(vol%),在TiN含量為20-25vol%導(dǎo)電性最高,原位氮化后TiN顆均勻包裹在Si3N4顆粒表面,晶粒尺寸為40-50納米;比文獻(xiàn)報(bào)道的(30-50)vol%TiN含量低。
聲明:
“納米級(jí)氮化鈦-氮化硅復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)