本發(fā)明公開了一種硫化銅/釩酸鉍雙層膜
復(fù)合材料的制備方法,是先用
電化學(xué)沉積法制備出多孔BiVO4光電極,再用簡單的滴涂方式將CuS負載于BiVO4電極上,得到CuS/BiVO4雙層膜復(fù)合材料。由于CuS是一種窄帶隙p?型半導(dǎo)體,禁帶寬度幾乎接近半導(dǎo)體Si材料,具有較好的可見光吸收性能及導(dǎo)電性;BiVO4是一種具有高可見光響應(yīng)性、電子結(jié)構(gòu)可調(diào)的n?型半導(dǎo)體,二者復(fù)合形成雙層CuS/BiVO4薄膜,構(gòu)成價帶和導(dǎo)帶相交錯的p?n異質(zhì)結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)有助于光生載流子的快速分離,減小電子?空穴對復(fù)合,從而提高了BiVO4的光電化學(xué)性能,使其作為光電陽極材料在光催化分解水產(chǎn)氫反應(yīng)中具有很好的應(yīng)用前景。
聲明:
“硫化銅/釩酸鉍雙層膜復(fù)合材料的制備及作為光電陽極的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)