本發(fā)明公開了一種碳包覆硅納米片制備方法及碳包覆硅納米片,通過將0.1?1g碳源加入5?20mL水中攪拌并超聲分散10?30min;加入0.1?1g?D50粒徑10?500nm的硅粉超聲分散10?30min;100?200℃水熱反應(yīng)10?24h后離心、真空干燥得碳包覆硅納米片。該碳包覆硅納米片由硅納米片及包覆在周圍的碳層組成。本發(fā)明公開了用上述碳包覆硅納米片制備的硅基
復(fù)合材料及制備方法,通過將碳包覆硅納米片、碳材料、碳源按質(zhì)量比5?12%:78?85%:10%混合球磨,以3?10℃/min升溫至500?1000℃煅燒5?12h得硅基復(fù)合材料。該硅基復(fù)合材料包括碳包覆硅納米片、碳材料和包覆碳層。本發(fā)明的碳包覆硅納米片和硅基復(fù)合材料的碳包覆層緩沖了硅的體積膨脹,增強(qiáng)了導(dǎo)電性,硅基復(fù)合材料的雙包覆碳層進(jìn)一步抑制硅的膨脹,提高了首次充放電效率和循環(huán)容量保持率。
聲明:
“碳包覆硅納米片和硅基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)