本發(fā)明涉及一種低成本熔硅浸滲法制備C/SiC
復(fù)合材料的方法。該方法包括步驟:將碳氈或石墨氈于400~600℃溫度煅燒預(yù)處理;預(yù)處理后的碳氈或石墨氈浸入三聚氰胺和硼酸溶液中,涂覆一層氮化硼保護層;再浸入碳/碳化硅漿料水溶液浸滲,使碳氈或石墨氈孔隙中充滿碳/碳化硅,置于燒結(jié)爐中,在1600-1800℃溫度下進行一次熔融滲硅處理;再浸入液體酚醛樹脂中,然后在800-1000℃、惰性氣氛保護下碳化處理,使樹脂全部碳化,最后進行二次熔融滲硅處理,使樹脂碳化產(chǎn)生的碳與硅全部反應(yīng)生成碳化硅,得到C/SiC復(fù)合材料。所得C/SiC復(fù)合材料致密度高、氣孔和游離硅的含量低,材料強度、韌性和摩擦磨損性能好,可用于制作剎車片。
聲明:
“低成本熔硅浸滲法制備 C/SiC 復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)