本發(fā)明公開(kāi)一種LED,在襯底上生長(zhǎng)外延層,在外延層上制作可變電阻率的透明導(dǎo)電層,在透明導(dǎo)電層上制作P電極,而在外延層上制作N電極;透明導(dǎo)電層由導(dǎo)電高分子
復(fù)合材料構(gòu)成,導(dǎo)電高分子復(fù)合材料由高分子基體材料和導(dǎo)電填料按體積比為1 : 0.01?1 : 1組成,高分子基體材料為環(huán)氧樹(shù)脂、硅氧樹(shù)脂、聚乙烯、偏二氟乙烯中的一種,導(dǎo)電填料為炭黑、
石墨烯、
碳納米管、金屬顆粒、金屬纖維、金屬氧化物顆粒中的一種或幾種。本發(fā)明還公開(kāi)所述LED制造方法。本發(fā)明可以解決LED
芯片在恒壓驅(qū)動(dòng)模式下所對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流隨溫度的上升而急劇升高的問(wèn)題。
聲明:
“LED及其制造方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)