本發(fā)明涉及一種提高器件抗電離輻射總劑量效應(yīng)的方法,包括以下步驟:1)制作單層結(jié)構(gòu)
復(fù)合材料:2)制作多層結(jié)構(gòu)復(fù)合材料:3)測量電子束在復(fù)合材料中的透射系數(shù):4)采用蒙特卡洛粒子輸運方法模擬計算材料的理論透射系數(shù):5)修正電子透射系數(shù);6)采用屏蔽效果最好的復(fù)合材料,在器件的相應(yīng)
芯片處進(jìn)行二次封裝。本發(fā)明在保證屏蔽效果最好的同時,使封裝質(zhì)量最小,可提高航天器器件抗電離輻射總劑量效應(yīng)。
聲明:
“提高器件抗電離輻射總劑量效應(yīng)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)