本發(fā)明公開了一種適用于復(fù)雜變化電磁環(huán)境下的晶體硅
光伏組件,包括從上至下依次設(shè)置的納米電磁屏蔽增透膜層、前封裝材料層、上封裝膠膜層、晶體硅電池層、下封裝膠膜層和后封裝材料層,增透膜層由納米
復(fù)合材料組成,所述納米復(fù)合材料為SiO
2包覆透明導(dǎo)電金屬氧化物。本發(fā)明中由SiO
2包覆導(dǎo)電金屬氧化物復(fù)合
納米材料組成的導(dǎo)電性能良好的鍍膜層,可以有效的吸收,引導(dǎo)電磁場(chǎng)的能量,因而能夠起到電磁屏蔽作用,從而大大提高了光伏組件的輸出功率。
聲明:
“適用于復(fù)雜變化電磁環(huán)境下的晶體硅光伏組件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)