本發(fā)明涉及一種SiC納米線增韌化學(xué)氣相共沉積HfC?SiC復(fù)相涂層的制備方法,首先利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在C/C
復(fù)合材料表面制備SiC納米線,而后利用化學(xué)氣相共沉積技術(shù)沉積HfC?SiC復(fù)相涂層,進(jìn)而在C/C復(fù)合材料表面得到SiC納米線增韌HfC?SiC復(fù)相涂層。本發(fā)明方法制備的SiC納米線增韌HfC?SiC復(fù)相涂層通過控制涂層中的組織成分及各相的均勻程度,緩解了涂層與炭炭復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)的不匹配,并通過納米線橋聯(lián)拔出機(jī)制抑制裂紋產(chǎn)生和擴(kuò)展,有效地抑制了在燒蝕過程中HfC基陶瓷涂層開裂的情況。所制備的涂層厚度均勻,組織可控,工藝制備周期短、工藝過程簡單,成本低。
聲明:
“SiC納米線增韌化學(xué)氣相共沉積HfC-SiC復(fù)相涂層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)