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基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交錯(cuò)型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管

1099   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:09:20
本發(fā)明公開了一種基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交錯(cuò)型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管,解決現(xiàn)有III-V族材料制備的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能差的問題。其包括襯底(1)、漏極(2)、溝道(3)、源極(4)、氧化層(5)和柵電極(6)。溝道和漏極均采用Bi組分為(0,0.09]的GaAsBi復(fù)合材料;源極采用N組分為(0.0,0.1]的Ga(In)AsN復(fù)合材料;源極、溝道、漏極依次豎直分布,氧化層與柵電極包裹在溝道外部。本發(fā)明通過源極Ga(In)AsN與溝道GaAsBi的相互接觸形成交錯(cuò)型異質(zhì)隧穿結(jié),減小了隧穿勢(shì)壘高度,增大了隧穿幾率和隧穿電流,提升了器件的整體性能,可用于制作大規(guī)模集成電路。
聲明:
“基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交錯(cuò)型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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