本發(fā)明公開了一種PVT法生長AlN單晶用復(fù)合籽晶托的制備方法。復(fù)合籽晶托為TaC涂層/石墨為基體的耐高溫耐腐蝕
復(fù)合材料,其制備方法為采用雙溫區(qū)CVR法在石墨片上沉積一層致密Ta,并原位碳化生成TaC涂層,即獲得TaC涂層/石墨復(fù)合籽晶托。采用本方法制備的TaC涂層/石墨復(fù)合籽晶托不僅可以長時間經(jīng)受AlN單晶生長的高溫、Al蒸汽強侵蝕性等惡劣環(huán)境,克服了傳統(tǒng)CVD法制備TaC涂層高溫易剝離的現(xiàn)象,還可以預(yù)防石墨中碳?xì)夥諠B透污染AlN體單晶。TaC涂層/石墨復(fù)合籽晶托具有耐高溫、耐腐蝕、表面平整易加工等優(yōu)點,適合用于物理氣相傳輸法生長大尺寸高質(zhì)量AlN單晶。
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“PVT法生長AlN單晶用復(fù)合籽晶托的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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