11Fe/Si異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料及其制備方法,復(fù)合材料"> 11Fe/Si異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料及其制備方法,本發(fā)明公開了一種CsPW11Fe/Si異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料及其制備方法,CsPW11Fe納米粒子有序生長(zhǎng)于Si基底表面刻蝕出的孔洞中,呈現(xiàn)出“乳突”狀排列;CsPW11Fe納米顆粒尺寸為95~105nm,Si基底表面刻蝕出的孔洞尺寸為1~3μm。通過CsPW11Fe與Si之間的電子轉(zhuǎn)移增強(qiáng)光生載流子的分離效率,從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明能高效利用太陽光能實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,與其它方法相比,技術(shù)先進(jìn),節(jié)能低耗,且性質(zhì)穩(wěn)定。在可見光照射下CsPW11Fe/Si復(fù)合材">

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CsPW11Fe/Si異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料及其制備方法

744   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:44:04
本發(fā)明公開了一種CsPW11Fe/Si異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料及其制備方法,CsPW11Fe納米粒子有序生長(zhǎng)于Si基底表面刻蝕出的孔洞中,呈現(xiàn)出“乳突”狀排列;CsPW11Fe納米顆粒尺寸為95~105nm,Si基底表面刻蝕出的孔洞尺寸為1~3μm。通過CsPW11Fe與Si之間的電子轉(zhuǎn)移增強(qiáng)光生載流子的分離效率,從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明能高效利用太陽光能實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,與其它方法相比,技術(shù)先進(jìn),節(jié)能低耗,且性質(zhì)穩(wěn)定。在可見光照射下CsPW11Fe/Si復(fù)合材料的入射單色光子?電子轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了54.1%,明顯高于純硅(~10%)。
聲明:
“CsPW11Fe/Si異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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