本發(fā)明提供了一種磁電阻元件,依次包括種子層、磁固定層、勢壘層、磁記憶層和覆蓋層。其中磁固定層的磁化方向不變且磁各向異性垂直于層表面,磁固定層又細分為具有面心立方晶格結(jié)構的磁穩(wěn)定層,晶格轉(zhuǎn)化結(jié)合層和磁參考層。磁采用鐵鈷硼
復合材料,且其磁激化方向可變并垂直于層表面。勢壘層位于磁參考層和磁記憶層之間,是一種氧化膜。種子層材料具有幫助磁穩(wěn)定層形成熱穩(wěn)定的面心立方晶格結(jié)構的功能。高溫退火后磁參考層和磁記憶層中的鐵鈷硼從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)轶w心立方的晶態(tài)結(jié)構。通過引入晶格轉(zhuǎn)化結(jié)合層將具有面心立方晶格結(jié)構的磁穩(wěn)定層與上面具有體心立方結(jié)構的鐵鈷硼參考層有機結(jié)合起來。本發(fā)明還提供了上述磁電阻元件的制備工藝。
聲明:
“垂直型磁電阻元件及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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