本發(fā)明公開了一種高k柵介質(zhì)材料及其制備方法,屬于半導(dǎo)體 技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的 應(yīng)用領(lǐng)域,這種高k柵介質(zhì)材料為氧化鉺-
氧化鋁(Er2O3-Al2O3, ErAlO)
復(fù)合材料,采用射頻磁控濺射制備方法,濺射靶為Er2O3和 Al2O3混合陶瓷靶,在P型Si(100)襯底上制備得到ErAlO非晶柵介質(zhì) 復(fù)合氧化物薄膜,經(jīng)檢測,本發(fā)明的ErAlO薄膜具有良好的熱穩(wěn)定 性、良好的平整度和低的漏電流密度,可取代SiO2成為一種新型高k 柵介質(zhì)材料。
聲明:
“高K柵介質(zhì)材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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