本發(fā)明屬于金屬
復(fù)合材料及其制備技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種多孔Cu?SiC復(fù)合膜及其制備方法,其制備方法包括如下步驟:S1、準(zhǔn)備基片;S2、安裝靶位;S3、制備Cu3N?SiC復(fù)合膜;S4、制備多孔Cu?SiC復(fù)合膜,將Cu3N?SiC復(fù)合膜置于惰性氣體環(huán)境進(jìn)行退火處理,得到均勻分布的多孔Cu?SiC復(fù)合膜。本發(fā)明通過(guò)利用Cu3N薄膜的較低的分解溫度,分解為單質(zhì)銅和氮?dú)?,雙靶共濺射,可以使得方便改變銅靶的濺射功率,有效調(diào)控薄膜中銅或SiC的含量,方便、有效調(diào)控復(fù)合膜內(nèi)SiC的體積分布、粒度大小和金屬的成份,工藝簡(jiǎn)單,膜與基片結(jié)合緊密、孔徑細(xì)小均勻,Cu?SiC薄膜孔隙分布均勻。
聲明:
“多孔Cu-SiC復(fù)合膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)