一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用,屬于嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等的應(yīng)用領(lǐng)域。現(xiàn)有聚偏氟乙烯還難以滿足現(xiàn)在嵌入式電容器以及半導(dǎo)體儲(chǔ)存器件生產(chǎn)應(yīng)用的需求。本發(fā)明包括制備多形貌的棒狀、線狀、球狀和立方狀納米銀@二氧化硅核殼無機(jī)粉體,同時(shí)用多形貌的納米銀@二氧化硅核殼粉體改性聚偏氟乙烯,得到一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚合無機(jī)
復(fù)合材料??捎糜谥谱鳜F(xiàn)代嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等的原材料。
聲明:
“高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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