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基于雙面核/殼結(jié)構(gòu)硅納米線組的熱電材料的制備方法

721   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 20:18:18
本發(fā)明公開了一種基于雙面核/殼結(jié)構(gòu)硅納米線組的熱電材料的制備方法，該方法是在硅片上生長硅納米線得到基于雙面核/殼結(jié)構(gòu)硅納米線組的熱電材料，其硅為核、外圍包裹自然氧化層為殼，其硅納米線直徑為20～300nm、長度為150～155μm，該熱電材料的熱導率常溫下為0.97Wm-1K-1，ZT為1.02。本發(fā)明得到的熱電材料應用時無需去除氧化層，在納米器件領域和新能源領域具有廣闊的應用前景；本發(fā)明具有制備方法簡單，低成本，高重復性，對環(huán)境要求低，適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
聲明：
“基于雙面核/殼結(jié)構(gòu)硅納米線組的熱電材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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