本發(fā)明涉及一種低成本、高產(chǎn)率SiC單晶的生長方法,該方法采用雙側(cè)生長坩堝進(jìn)行,所述的雙側(cè)生長坩堝包括坩堝體,坩堝體內(nèi)設(shè)置有兩個縱向間隔的多孔石墨片,多孔石墨片將坩堝體的內(nèi)腔分割成左夾層、生長腔和右夾層,本發(fā)明的生長方法采用雙側(cè)生長坩堝進(jìn)行,在坩堝的兩個夾層放置SiC粉料,使SiC籽晶的兩個面均存在一定濃度的SiC生長氣相組分,有效避免了晶體高溫生長時籽晶分解的現(xiàn)象,降低大直徑SiC籽晶粘接不良導(dǎo)致的SiC單晶合格率低的問題,大大提高了SiC單晶的制備效率,降低了SiC單晶成本。制備的SiC單晶質(zhì)量優(yōu)于或相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)制備的SiC單晶質(zhì)量,能夠用于
新能源汽車、
光伏發(fā)電、5G通訊等領(lǐng)域。
聲明:
“低成本、高產(chǎn)率SiC單晶的生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)