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硅薄膜太陽(yáng)電池用P型窗口層及其制備方法

768   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 20:26:32
本發(fā)明涉及硅薄膜太陽(yáng)電池的窗口層,特別是p 型窗口層的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù),屬于新能源中薄膜太陽(yáng)電池的技 術(shù)領(lǐng)域。硅薄膜太陽(yáng)電池用p型窗口層,由透明襯底、透明導(dǎo) 電薄膜、p型窗口層等組成,其特點(diǎn)在于:P層分為 P1和 P2兩層, P1層是具有高晶化率寬帶隙納 米硅的薄膜,厚度比P2層要薄一 個(gè)數(shù)量級(jí)。在設(shè)計(jì)p型窗口層時(shí),采用雙層p型摻雜層結(jié)構(gòu)。 調(diào)控兩層的晶化率、摻雜濃度與厚度,來(lái)達(dá)到晶化和摻雜效果 分別完成、最終合成一致達(dá)到高電導(dǎo)、高晶化率同時(shí)得以滿(mǎn)足 的效果,為隨后微晶硅有源層的生長(zhǎng)提供良好晶化基礎(chǔ),并以 高電導(dǎo)的p型摻雜提供高開(kāi)路電壓和低的串聯(lián)電阻,從而在保 證穩(wěn)定性基礎(chǔ)上提高電池效率,有利展示薄膜電池低成本的優(yōu) 勢(shì)。
聲明:
“硅薄膜太陽(yáng)電池用P型窗口層及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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