一種
納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域的類
石墨烯結(jié)構(gòu)銅銦硫納米片陣列薄膜的制備方法,所用的銅源一價(jià)銅鹽,銦源為氯化銦,硫源為硫粉和硫脲,采用原位溶劑熱法制備具有規(guī)則的納米薄膜。將銅源、銦源溶于三乙醇胺、丙酮以及檸檬酸鈉溶液中,再加入氨水調(diào)節(jié)pH,加入摩爾比為2 : 1硫粉/硫脲的硫源后,再加入水合聯(lián)氨溶液,最后混合溶劑體積比為1 : 1的水/乙二醇加入,得到CuInS2前體反應(yīng)液。將反應(yīng)液并加入反應(yīng)釜,再插入玻璃片,進(jìn)行溶劑熱原位反應(yīng),即可得到具有規(guī)則的納米片陣列薄膜。本發(fā)明方法簡單,成本低,陣列均一,納米片厚度為2~8nm,為銅銦硫在
太陽能電池、光催化等新能源領(lǐng)域的應(yīng)用提供一種有效的方法。
聲明:
“類石墨烯結(jié)構(gòu)銅銦硫納米片陣列薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)