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用于人工光合作用的氮化鎵基器件及其制備方法

745   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 20:28:03
本發(fā)明公開了一種用于人工光合作用的氮化鎵基器件，自下而上有金屬襯底(Cu、In、Sn、Ag、Au、Pb、Cd等)、n+?GaN、InGaN層、其制備步驟如下：在n型重摻的GaN層上利用分子束外延技術生長InGaN層，再將獲得的GaN基外延片用物理或者化學方法(如鍵合、倒裝焊、導電膠等)與金屬襯底上粘合在一起，使得GaN基電池中的電子可以順利導入到金屬基板上，獲得用于人工光合作用的氮化鎵器件。本發(fā)明的氮化鎵器件具有吸收系數(shù)高、電子空穴分離效率高、電流均勻性好的優(yōu)點，可作為光陽極材料用于人工光合作用中，對減少二氧化碳排放以及新能源的開發(fā)利用具有非常重要意義。
聲明：
“用于人工光合作用的氮化鎵基器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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