本發(fā)明涉及一種化合物硫硅鎘鋰和硫硅鎘鋰紅外非線性光學(xué)晶體及制備方法和應(yīng)用,該化合物的化學(xué)式為L(zhǎng)i
2CdSiS
4,分子量為282.61,為硫硅鎘鋰粉末純樣;該晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)i
2CdSiS
4,分子量為鋅,非中心對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)單晶,晶系為正交晶系,空間群為Pmn2
1,晶胞參數(shù)a=7.611(3)?,b=6.793(2)?,c=6.304(2)?,Z=2,單胞體積V=325.90(19)?
3。采用在真空條件下進(jìn)行固相反應(yīng)法和高溫熔融?自發(fā)結(jié)晶法制備粉末純樣和晶體;本發(fā)明中所述的硫硅鎘鋰紅外非線性光學(xué)晶體的純樣X(jué)RD圖與理論值吻合;在2090nm的激光下,倍頻效應(yīng)是AgGaS
2的1倍;獲得毫米級(jí)晶體。
聲明:
“化合物硫硅鎘鋰和硫硅鎘鋰中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)晶體及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)