本發(fā)明公開了一種T結構電極背面光纖連接的硅基薄膜鈮酸鋰調制器及方法。包括層疊的襯底、埋氧層、鈮酸鋰層和包層,鈮酸鋰層上形成薄膜鈮酸鋰光波導,薄膜鈮酸鋰光波導包含輸入輸出光柵耦合器、兩個分束器和馬赫曾德爾結構;馬赫曾德爾結構的包層上設T結構金屬電極、金屬行波信號電極和金屬行波接地電極;馬赫曾德爾結構兩臂間有金屬行波信號電極,金屬行波信號電極位于馬赫曾德爾結構兩臂之間,馬赫曾德爾結構兩臂外設有金屬行波接地電極。光柵耦合器的包層上設有金屬反射鏡,光纖從
芯片背面連接光柵耦合器,因此鈮酸鋰調制器可倒裝焊接于芯片底座上,本發(fā)明首次在硅基襯底下同時實現(xiàn)了超低功耗,超大電光帶寬的薄膜鈮酸鋰電光調制器。
聲明:
“T結構電極背面光纖連接的硅基薄膜鈮酸鋰調制器及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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