本發(fā)明公開了一種基于鈮酸鋰薄膜的大模斑水平端面耦合器,屬于集成光器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述耦合器包括雙層倒錐和包層波導;所述雙層倒錐包括上層倒錐和下層倒錐;所述下層倒錐材料為二氧化硅和鈮酸鋰,所述上層倒錐材料為鈮酸鋰;所述包層波導覆蓋于所述雙層倒錐上,所述包層波導的材料為氮氧化硅,包層波導的截面呈現(xiàn)出圓頂凸字形。所述下層倒錐延伸至耦合器
芯片端面;所述上層倒錐截止于所述下層倒錐的鈮酸鋰層之上。本發(fā)明基于鈮酸鋰薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加額外光刻步驟的情況下,增大耦合器模斑尺寸,提升耦合器耦合效率。
聲明:
“基于鈮酸鋰薄膜的大模斑水平端面耦合器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)