本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜鈮酸鋰可調(diào)高線性電光調(diào)制器集成
芯片,自下而上包括襯底層、掩埋氧化層、電光調(diào)制器件層和上包層;電光調(diào)制器件層由左至右依次包括輸入光波導(dǎo)、輸入分光耦合器、超線性調(diào)制區(qū)、馬赫增德?tīng)栂辔徽{(diào)制區(qū)、輸出合路耦合器和輸出光波導(dǎo)。超線性調(diào)制區(qū)由一個(gè)或多個(gè)順次連接的薄膜鈮酸鋰脊形光波導(dǎo)可調(diào)諧振腔構(gòu)成,可位于一條或兩條調(diào)制臂上,在諧振腔內(nèi)的光波導(dǎo)兩側(cè)放置有可調(diào)節(jié)諧振腔工作狀態(tài)的第二信號(hào)電極和第三地電極。通過(guò)調(diào)節(jié)諧振腔的尺寸及加載在諧振腔波導(dǎo)兩側(cè)電極上的信號(hào)大小調(diào)整諧振腔的工作點(diǎn),消除器件整體的三階非線性,從而實(shí)現(xiàn)具有高線性度的電光調(diào)制器集成芯片。
聲明:
“薄膜鈮酸鋰可調(diào)高線性電光調(diào)制器集成芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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