2納米陣列限域氧化銻負(fù)極的制備方法及負(fù)極,加工技術(shù)"> 2納米陣列限域氧化銻負(fù)極的制備方法及負(fù)極,本發(fā)明公開一種鋰離子電池TiO2納米陣列限域氧化銻負(fù)極的制備方法及負(fù)極,該負(fù)極包括導(dǎo)電集流體基底、生長在基底上的由納米孔陣列和網(wǎng)狀微米孔組成的多孔二氧化鈦,以及填充于納米陣列管道中和微米網(wǎng)格孔洞中的Sb2O3。由于Sb2O3進入TiO2基體的納米孔陣列和微米網(wǎng)孔中,在充放電過程中能夠為Sb2O3的體積膨脹提供有向容納空間,防止Sb2O3脫落喪失活性;TiO2具有一維穩(wěn)定的導(dǎo)電通路,為復(fù)合負(fù)極的離子、電子傳輸提供保障,其本身也具有170mAh·g?1的理論比">

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TiO2納米陣列限域氧化銻負(fù)極的制備方法及負(fù)極

633   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:14:03
本發(fā)明公開一種鋰離子電池TiO2納米陣列限域氧化銻負(fù)極的制備方法及負(fù)極,該負(fù)極包括導(dǎo)電集流體基底、生長在基底上的由納米孔陣列和網(wǎng)狀微米孔組成的多孔二氧化鈦,以及填充于納米陣列管道中和微米網(wǎng)格孔洞中的Sb2O3。由于Sb2O3進入TiO2基體的納米孔陣列和微米網(wǎng)孔中,在充放電過程中能夠為Sb2O3的體積膨脹提供有向容納空間,防止Sb2O3脫落喪失活性;TiO2具有一維穩(wěn)定的導(dǎo)電通路,為復(fù)合負(fù)極的離子、電子傳輸提供保障,其本身也具有170mAh·g?1的理論比容量;納米級的Sb2O3也有利于釋放嵌鋰應(yīng)力,縮短離子、電子遷移路徑。
聲明:
“TiO2納米陣列限域氧化銻負(fù)極的制備方法及負(fù)極” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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