本發(fā)明提供了一種三維復(fù)合結(jié)構(gòu)的
儲能薄膜及其制備方法與應(yīng)用。所述復(fù)合型三維結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法包括的步驟有:將硅靶材和導(dǎo)電鋰離子載體金屬靶材在惰性氣氛下進行共濺射處理,在基體上生長三維復(fù)合型結(jié)構(gòu)薄膜。本發(fā)明三維復(fù)合型結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法生長的三維復(fù)合型結(jié)構(gòu)薄膜具有較多的接觸界面且界面電阻小的特性,而且形成的界面可以吸收硅材料在在充電時形成的體積膨脹從而導(dǎo)致的在放點時形成的薄膜脫落,減輕周期性體積變化的應(yīng)力,保持鋰離子嵌入/脫出過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。另外,所述制備方法有效保證生長的復(fù)合型三維結(jié)構(gòu)薄膜
電化學(xué)性能穩(wěn)定。
聲明:
“復(fù)合型三維復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)