本發(fā)明涉及一種二次電池及電子設(shè)備。提供一種二次電池,該二次電池為在提高充電深度時(shí)的dQ/dVvsV曲線中在4.55V附近具有較寬峰的正極活性物質(zhì)的二次電池。或者,提供一種二次電池,該二次電池使用如下正極活性物質(zhì):在充電電壓為4.6V以上且4.8V以下,充電深度為0.8以上且低于0.9的情況下也不成為H1?3型結(jié)構(gòu),可以保持CoO2層的偏離被抑制的晶體結(jié)構(gòu)。在dQ/dVvsV曲線中4.55V附近的峰較寬意味著在其附近的抽出鋰所需的能量變化少且晶體結(jié)構(gòu)的變化少。因此,可以得到CoO2層的偏離及體積的變化影響較少且即使充電深度較高也較穩(wěn)定的正極活性物質(zhì)。
聲明:
“二次電池及電子設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)