本發(fā)明的目的在于提供一種晶須集合體的制造方法,該晶須集合體的制造方法可以在未成膜種原子層的襯底上直接使不含有種原子的晶須集合體生長(zhǎng)。在被形成襯底的對(duì)面配置種襯底,并且導(dǎo)入含有硅的氣體進(jìn)行減壓化學(xué)氣相淀積。被形成襯底的種類只要是能夠承受進(jìn)行減壓化學(xué)氣相淀積時(shí)的溫度的襯底,沒(méi)有特別的限制??梢允共缓蟹N原子的硅晶須集合體接觸于被形成襯底上而直接生長(zhǎng)。再者,通過(guò)利用所形成的晶須集合體的表面形狀特性,可以將形成有晶須集合體的襯底應(yīng)用于太陽(yáng)電池或鋰離子二次電池等。
聲明:
“晶須集合體的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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