本發(fā)明屬于MXene膜的技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種具有垂直孔道結(jié)構(gòu)的二維MXene膜及其制備方法。方法:(1)將MAX粉末在鹽酸與氟化鋰的作用下進(jìn)行刻蝕,離心,洗滌,干燥,超聲分散,獲得MXene納米片溶液;(2)將MXene納米片溶液進(jìn)行電泳沉積,取出,進(jìn)行冷凍處理,干燥,獲得具有垂直孔道結(jié)構(gòu)的MXene膜;電泳沉積的條件:電壓為1?36V,時間為10s?30min;所述冷凍處理的溫度為?196℃~?100℃。本發(fā)明的方法簡單,綠色環(huán)保,所制備的膜為具有垂直孔道結(jié)構(gòu),能夠加快分子的穿膜速率;本發(fā)明的膜在
儲能、催化、光電材料、生物藥物、電磁屏蔽、吸波材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“具有垂直孔道結(jié)構(gòu)的二維MXene膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)