本發(fā)明公開了一種納米孿晶銅箔及其制備方法,屬于電解銅箔制備技術(shù)領(lǐng)域。該銅箔利用直流電解沉積技術(shù)制備得到,其厚度在3?100微米范圍內(nèi)可控調(diào)節(jié)。該銅箔內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)由柱狀晶粒組成,自下而上,柱狀晶粒尺寸由納米量級(jí)逐漸增加到微米量級(jí);柱狀晶粒內(nèi)存在納米尺度的孿晶片層,晶粒的取向由隨機(jī)取向變?yōu)閺?qiáng)(111)織構(gòu)。納米孿晶銅箔的厚度為6微米時(shí),其抗拉強(qiáng)度高于500MPa,同時(shí)具有較高的穩(wěn)定性和導(dǎo)電性,在鋰離子電池和電路板領(lǐng)域具有較好的應(yīng)用前景。
聲明:
“納米孿晶銅箔及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)