本發(fā)明涉及一種利用Cu誘導(dǎo)硅片表面COP的測(cè)試裝置及其測(cè)試方法,屬于檢測(cè)方法技術(shù)領(lǐng)域。其主要先將被測(cè)試硅片氧化,去除硅片背面氧化膜,將化學(xué)反應(yīng)槽內(nèi)裝滿甲醇溶液,依次放置銅板、硅片、銅板、電極,然后將蓋子蓋嚴(yán),通過(guò)導(dǎo)線連接電極、銅板,并接通電源,用直流電在兩極間通電,從化學(xué)反應(yīng)槽中排出甲醇溶液,取出硅片,經(jīng)干燥處理后測(cè)量硅片缺陷數(shù)量。本發(fā)明可精確地測(cè)試硅片里COP密度和分布,找出最佳單晶工藝條件,以好的靈敏度和伸縮性,高速度地對(duì)整個(gè)硅片進(jìn)行測(cè)量,以此來(lái)提高器件產(chǎn)量和可靠性,器件成品率大幅提升。
聲明:
“利用Cu誘導(dǎo)硅片表面COP的測(cè)試方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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