本申請公開了一種自PN結(jié)半導(dǎo)體
納米材料作為紅外光電探測器的應(yīng)用,其特征在于,所述自PN結(jié)半導(dǎo)體納米材料選自具有如式I所示化學(xué)式的物質(zhì)中的任一種;MO·xMQ2O4 式I;其中,所述M選自二價(jià)過渡金屬元素中的任一種;所述Q選自VIII族元素中的任一種;所述x表示MQ2O4與MO含量的摩爾比,所述x的取值范圍為1~2.5;所述自PN結(jié)半導(dǎo)體納米材料為含有異型異質(zhì)結(jié)的兩相多晶結(jié)構(gòu)。所述自PN結(jié)半導(dǎo)體納米材料解決了現(xiàn)有技術(shù)中MO禁帶寬度大,光電轉(zhuǎn)化效率不高且只對紫外光有較強(qiáng)的吸收等問題,具有良好的作為近紅外光電探測器應(yīng)用前景。
聲明:
“自PN結(jié)半導(dǎo)體納米材料作為紅外光電探測器的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)