本發(fā)明公開了一種超電容用金屬離子摻雜花狀MnO2納米片及其制備方法,采用化學(xué)沉淀的方法通過摻雜金屬離子引導(dǎo)制備納米片自組裝花狀的MnO2,其片層厚度為3~5nm;制備過程為:將濃度比為1:1的硫酸錳和過硫酸銨混合水溶液置于超聲恒溫水浴環(huán)境中,同時(shí)向混合溶液中勻速滴加濃度為0.001~0.2mol/L的金屬鹽溶液,隨后繼續(xù)反應(yīng)0.5~3h。該方法制備流程簡(jiǎn)單、成本低廉,獲得納米片層自組裝而成的花狀形貌顯著增大電極材料比表面積,同時(shí)有利于電解質(zhì)離子在電極材料體相中的擴(kuò)散,使其具有優(yōu)異的
電化學(xué)性能。掃描速率50mV/s時(shí),測(cè)得比電容值可達(dá)303.6F/g,阻抗為4.2Ω。
聲明:
“超電容用金屬離子摻雜花狀MnO2納米片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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