本發(fā)明提供一種閃存存儲(chǔ)器的制造方法,通過利用同一低壓化學(xué)氣相爐管對(duì)多個(gè)襯底執(zhí)行低壓化學(xué)氣相沉積工藝,在每個(gè)所述襯底上形成側(cè)墻材料層,可減少多個(gè)側(cè)墻材料層的形成工藝時(shí)間、節(jié)省制程時(shí)間以及提高制程效率。在形成側(cè)墻材料層之后,測量每個(gè)所述襯底上的所述側(cè)墻材料層的厚度,以得到每個(gè)所述襯底上的所述側(cè)墻材料層的厚度與所述側(cè)墻材料層的目標(biāo)厚度的差值,然后根據(jù)每個(gè)所述襯底上的所述側(cè)墻材料層的厚度與所述側(cè)墻材料層的目標(biāo)厚度的差值,對(duì)每個(gè)所述襯底上的所述側(cè)墻材料層進(jìn)行濕法刻蝕,使所述側(cè)墻材料層的厚度減至所述目標(biāo)厚度,增大字線的工藝窗口,進(jìn)而解決因字線工藝窗口的尺寸較小而造成的字線尺寸較小以及編程失效的問題。
聲明:
“閃存存儲(chǔ)器的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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