一種采用變溫PL譜獲取半導(dǎo)體材料雜質(zhì)電離能的無(wú)損測(cè)量方法，其是通過(guò)分析半導(dǎo)體材料變溫PL譜譜峰強(qiáng)度隨溫度升高而下降的熱淬滅行為，計(jì)算獲得半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)電離能，具體方法包括：步驟1：測(cè)量待測(cè)半導(dǎo)體材料的變溫PL譜；步驟2：通過(guò)譜峰擬合，獲得待測(cè)半導(dǎo)體材料在不同溫度下的熱淬滅峰譜峰強(qiáng)度；步驟3：擬合熱淬滅峰譜峰強(qiáng)度?溫度關(guān)系實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，獲得半導(dǎo)體材料雜質(zhì)電離能，包括施主雜質(zhì)電離能和受主雜質(zhì)電離能；步驟4：重復(fù)步驟1?3，多次測(cè)量待測(cè)半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)電離能，采用最小二乘法，計(jì)算多次測(cè)量后的雜質(zhì)電離能。本發(fā)明是利用無(wú)損的光譜解析技術(shù)，克服了現(xiàn)有測(cè)試手段復(fù)雜有損的技術(shù)缺點(diǎn)，不僅快速簡(jiǎn)便、精度高，而且對(duì)于測(cè)試材料無(wú)損。