本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種無(wú)損銅后道可靠性測(cè)試工藝。本發(fā)明一種無(wú)損銅后道可靠性測(cè)試工藝,通過(guò)在后道可靠性測(cè)試工藝中,采用常規(guī)的1/f噪聲系統(tǒng)收集噪聲數(shù)據(jù)信息,并根據(jù)該數(shù)據(jù)信息建立測(cè)試器件的可靠性壽命與1/f噪聲之間的函數(shù)關(guān)系,實(shí)現(xiàn)無(wú)損的后道可靠性評(píng)估,不僅降低了工藝成本還減小了測(cè)試周期,且在后續(xù)的后道工藝中,利用1/f噪聲系統(tǒng)采集器件噪聲信息數(shù)據(jù),根據(jù)器件的可靠性壽命與1/f噪聲之間的函數(shù)關(guān)系,能較好的實(shí)現(xiàn)后道工藝可靠性的早期預(yù)警。
聲明:
“無(wú)損銅后道可靠性測(cè)試工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)