本發(fā)明公開了一種快速定位集成電路失效位置的方法,包括:步驟S1,導(dǎo)通集成電路中的任意一個(gè)包含PN結(jié)的器件,并對所述集成電路失效點(diǎn)施加測試信號;步驟S2,使用熱發(fā)射顯微鏡從正面和背面分別獲取所述PN結(jié)和所述失效點(diǎn)的深度信息;步驟S3,通過比較所述PN結(jié)和所述失效點(diǎn)的深度信息來判斷所述失效點(diǎn)的失效位置。能夠快速定位失效位置是在
芯片內(nèi)部還是在封裝上,提高失效分析的效率。
聲明:
“快速定位集成電路失效位置的方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)