本發(fā)明涉及的是一種硫化亞錫誘導(dǎo)生長金納米顆粒的自組裝方法,屬于
納米材料制備領(lǐng)域。
背景技術(shù):
硫化亞錫是性能優(yōu)良的p型半導(dǎo)體,在很多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,可用作晶體管、傳感器、
太陽能電池、開關(guān)、電池電極等。不同于諸如
石墨烯等零隙半導(dǎo)體的是,硫化亞錫有帶隙,且為間接帶隙,并且其帶隙和原子層數(shù)有重要的聯(lián)系,層數(shù)越薄帶隙越大。也不同于過度金屬二維材料如二硫化鉬,硫化亞錫從塊體到單層都是間接帶隙。但目前硫化亞錫和金納米顆粒的復(fù)合物制備方法還鮮有報道。
金納米顆粒的合成一般采用溶液化學(xué)還原的方法,如用乙二醇或是硼氫化鈉等作為還原劑,但是該方法不能使得金納米顆粒在襯底材料上有序組裝。因此開發(fā)一種簡單有效的方法原位生長金納米顆粒/硫化亞錫復(fù)合物就顯得尤為必要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用,工藝簡單,獲得的金納米顆粒的粒徑范圍是幾納米到幾十納米,結(jié)晶性好。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物,金納米顆粒顆粒在硫化亞錫表面具有取向性排列,金納米顆粒尺寸在15-25納米。
硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物的制備方法,步驟如下:
(1)機(jī)械剝離硫化亞錫材料,產(chǎn)物厚度50-100nm,大小幾微米到十幾微米,氬氣氣氛中退火后備用。
(2)滴加氯金酸水溶液到機(jī)械剝離的硫化亞錫表面,沉積2-5min,氮?dú)獯底叨嘤嗟囊后w,置于烘箱中加熱反應(yīng)。
氯金酸水溶液的濃度為10%-26%,滴加量為1-3μl;反應(yīng)溫度為120-150℃、反應(yīng)時間2-5min。
(3)反應(yīng)結(jié)束后,快速取出樣品,得到金納米顆粒在硫化亞錫自取向組裝。得到金納米顆粒在硫化亞錫自取向組裝,金納米顆粒大約幾十納米,結(jié)晶性好,該復(fù)合物在光電探測領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
本發(fā)明的原理說明如下:au3+/au0的還原電勢大約為5.5ev(相對于真空而言),而硫化亞錫的導(dǎo)帶小于5.5ev,因此電子會從硫化亞錫轉(zhuǎn)移到au3+上,使得au3+原位還原成au0。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):(1)得到的產(chǎn)物金納米顆粒粒徑為幾納米到幾十納米,結(jié)晶性好,穩(wěn)定性高;(2)工藝簡單,而且成本低廉,時間較短,環(huán)境友好;(3)該方法制備的硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物性能優(yōu)越,在光電探測器件、生物傳感等領(lǐng)域具有廣泛重要的應(yīng)用前景。
附圖說明
圖1為實(shí)施例1機(jī)械剝離的硫化亞錫樣品的光學(xué)顯微鏡照片,從照片中可以看出該樣品大小大約幾個微米,厚度魏50-100nm。
圖2為實(shí)施例1機(jī)械剝離的硫化亞錫樣品的raman圖,曲線中出現(xiàn)了硫化亞錫的主要拉曼峰,同時還說明機(jī)械剝離所得硫化亞錫的結(jié)晶性良好。
圖3為實(shí)施例1制備得到的硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物的掃描電鏡圖,可知金納米顆粒為幾納米到幾十納米,結(jié)晶性好,穩(wěn)定性高,同時顆粒在硫化亞錫表面具有一定的取向排列。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合實(shí)施例和附圖具體說明
本技術(shù):
的技術(shù)方案。
硫化亞錫樣品的剝離方法,參見文獻(xiàn)(k.s.novoselov,etalscience,2004,306:666-669)。
實(shí)施例1
一種硫化亞錫誘導(dǎo)生長金納米顆粒的自組裝方法,步驟如下:
(1)機(jī)械剝離得到硫化亞錫,其厚度大約70nm,大小幾微米到十幾微米,氬氣氣氛中退火后備用;
(2)將氯金酸粉末溶解到水中,得到26%的氯金酸水溶液,滴加2μm的氯金酸水溶液到機(jī)械剝離的硫化亞錫表面,沉積2min,氮?dú)獯底叨嘤嗟囊后w,隨后烘箱中反應(yīng)溫度為150℃、反應(yīng)時間5min;
(3)反應(yīng)結(jié)束后,快速取出樣品,得到金納米顆粒在硫化亞錫自組裝,金納米顆粒大約15-25納米,結(jié)晶性好。
實(shí)施例2
一種硫化亞錫誘導(dǎo)生長金納米顆粒的自組裝方法,步驟如下:
(1)機(jī)械剝離得到硫化亞錫材料,其厚度大約85nm,大小幾微米到十幾微米,氬氣氣氛中退火后備用;
(2)將氯金酸粉末溶解到水中,稀釋得到13%的氯金酸水溶液,滴加3μm的氯金酸水溶液到機(jī)械剝離的硫化亞錫表面,沉積3min,氮?dú)獯底叨嘤嗟囊后w,隨后烘箱中反應(yīng)溫度為120℃、反應(yīng)時間5min;
(3)反應(yīng)結(jié)束后,快速取出樣品,得到金納米顆粒在硫化亞錫自組裝,金納米顆粒大約10-15納米,結(jié)晶性好。
實(shí)施例3
一種硫化亞錫誘導(dǎo)生長金納米顆粒的自組裝方法,步驟如下:
(1)機(jī)械剝離得到硫化亞錫材料,其厚度大約100nm,大小幾微米到十幾微米,氬氣氣氛中退火后備用;
(2)將氯金酸粉末溶解到水中,稀釋得到19%的氯金酸水溶液,滴加2μm的氯金酸水溶液到機(jī)械剝離的硫化亞錫表面,沉積4min,氮?dú)獯底叨嘤嗟囊后w,隨后烘箱中反應(yīng)溫度為130℃、反應(yīng)時間3min;
(3)反應(yīng)結(jié)束后,快速取出樣品,得到金納米顆粒在硫化亞錫自組裝,金納米顆粒大約8-12納米,結(jié)晶性好。
實(shí)施例4實(shí)施例1所得復(fù)合物在光電探測領(lǐng)域應(yīng)用案例
硫化亞錫自組裝金納米顆粒復(fù)合物可以應(yīng)用于光電探測領(lǐng)域,將該復(fù)合物作為光電導(dǎo)型器件制作的材料,當(dāng)光照波長和表面的金納米顆粒耦合成表面等離子基元時,金納米顆粒的表面電子會部分注入硫化亞錫表面,與硫化亞錫表面導(dǎo)電的空穴復(fù)合,抑制了光電流,因此,通過調(diào)控金納米顆粒的大小調(diào)節(jié)和光耦合波長,就可以構(gòu)建對光的波長探測器件。
技術(shù)特征:
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用,制備方法是:機(jī)械剝離硫化亞錫材料,產(chǎn)物厚度50?100nm,大小幾微米到十幾微米,氬氣氣氛中退火后備用;滴加氯金酸水溶液到機(jī)械剝離的硫化亞錫表面,沉積2?5min,氮?dú)獯底叨嘤嗟囊后w,120?150℃反應(yīng)時間2?5;反應(yīng)結(jié)束后,快速取出樣品,得到金納米顆粒在硫化亞錫自取向性組裝,所得金納米顆粒尺寸幾十納米,結(jié)晶性好,在光電探測器件、生物傳感等領(lǐng)域具有廣泛重要的應(yīng)用前景。
技術(shù)研發(fā)人員:晏善成;宋海增;徐欣;王俊;吳建盛
受保護(hù)的技術(shù)使用者:南京郵電大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.08.10
技術(shù)公布日:2017.12.01
聲明:
“硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用與流程” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)