本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預(yù)處理:對坩鍋水冷、電子槍預(yù)熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時間后停止束流,重復(fù)小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發(fā)明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術(shù),一方面降低硅的蒸發(fā)損失量,此方法提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,工藝簡單,節(jié)能降耗,周期短,生產(chǎn)效率高。
聲明:
“電子束分次熔煉提純多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)