本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的方法,先通過電子束在坩堝中形成穩(wěn)定的高純硅熔池,然后將需提純硅粉通過進(jìn)料真空閘室連續(xù)落入熔池,快速熔化后熔煉,從而去除硅粉中的雜質(zhì)磷,得到的低磷硅液周期性地從坩堝中溢出,在水冷傾斜銅槽中形成硅塊,并落入收集筒中冷卻,最后通過出料真空閘室連續(xù)出料,完成連續(xù)提純多晶硅的工藝過程。本發(fā)明采取連續(xù)加料和連續(xù)出料的熔煉方式,采用電子束熔煉多晶硅可去除飽和蒸汽壓高的揮發(fā)性雜質(zhì)磷,達(dá)到高效、連續(xù)熔煉除雜的目的,純度達(dá)到了太陽能級硅的使用要求,技術(shù)穩(wěn)定,能耗小,成本低,生產(chǎn)效率高,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)