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p-i-n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器及其制備方法

896   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:10:02
本申請(qǐng)屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種p?i?n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器及其制備方法。其中,p?i?n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器,包括依次疊層貼合設(shè)置的p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層,其中,所述鈣鈦礦活性層包含化學(xué)通式為APbZ3的鹵化物鈣鈦礦,其中,A包括堿金屬離子或者有機(jī)銨離子,Z包括至少一種鹵素。本申請(qǐng)?zhí)峁┑膒?i?n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器,通過p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層的協(xié)同作用,可有效抑制器件暗電流,暗電流密度≤1nA/cm2,并且使鈣鈦礦基X光探測(cè)器具有較高的檢測(cè)靈敏度。
聲明:
“p-i-n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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