一種高強度、低熱膨脹的AlN納米線和Al
復合材料,在純度大于95%的AlN納米線的基礎(chǔ)上,采用過Al熔點熱壓的辦法制備出高致密度AlN納米線/Al復合材料,采用H2電弧法制備出平均粒徑為80-120nm的Al納米顆粒;采用Al,AlCl3,Al2O3和NH3為反應(yīng)物,通過氣相CVD法在石英基板上沉積出克量級的AlN納米纖維,其為純度高于95%的單晶AlN納米線,直徑分布在10-50nm之間,將體積組分為0~15%的AlN納米線和Al納米顆?;旌暇鶆颍稍锖蟮幕旌戏蹮釅撼蓧K體。AlN納米線在基體中分散均勻,界面結(jié)合良好,AlN納米線是一種優(yōu)化金屬基電子復合材料力性和熱物性的理想增強劑,AlN納米線和Al復合材料有望發(fā)展成為一種高強度、低熱膨脹的新型電子封裝材料。
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“高強度、低熱膨脹的A1N納米線和A1復合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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