本發(fā)明涉及修飾電極技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種
復(fù)合材料修飾電極及其制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明提供的復(fù)合材料修飾電極,包括玻碳電極和玻碳電極表面的復(fù)合物薄膜;所述復(fù)合物薄膜由包括多壁
碳納米管和2?氨基?5?巰基?1,3,4?噻二唑的原料制備得到。所述復(fù)合材料修飾電極可以實現(xiàn)對Cd
2+和Pb
2+的高靈敏檢測,根據(jù)實施例的記載,所述復(fù)合材料修飾電極對鎘離子的檢測限最低可達為0.4μg/L,對鉛離子的檢測限最低可達0.3μg/L。
聲明:
“復(fù)合材料修飾電極及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)