本發(fā)明公開了一種陶瓷基
復合材料在應力氧化環(huán)境下質(zhì)量變化預測方法,包括確定材料在應力和高溫作用下的基體裂紋數(shù)量的變化規(guī)律;確定材料在應力和高溫作用下的基體裂紋寬度的變化規(guī)律;確定氧氣在裂紋通道內(nèi)的擴散系數(shù);分別確定各組分的氧化速率;確定SiC纖維、基體反應前后的體積變化;確定材料在應力、高溫氧化環(huán)境下的氧化動力學模型;確定裂紋擴散階段和界面層擴展階段的氧化動力學模型,確定氧化層變化規(guī)律和界面消耗規(guī)律;確定應力、高溫環(huán)境下材料的質(zhì)量變化規(guī)律;本發(fā)明方法考慮了應力與高溫氧化對單向SiC/SiC復合材料的氧化機理的共同作用,為陶瓷基復合材料在應力氧化環(huán)境下的力學性能分析提供了相關理論支持。
聲明:
“陶瓷基復合材料在應力氧化環(huán)境下質(zhì)量變化預測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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