本發(fā)明公開了一種2D片層狀SiOx材料的性能調(diào)控方法,涉及利用羥基的吸附特性,采用佯鹽處理法,利用硅氧烯中羥基對(duì)陽離子的吸附形成佯鹽,然后在惰性氣氛中退火,從而達(dá)到調(diào)控片層狀SiOx材料性能的目的。具體操作方法為:首先在濃酸中溶解硅化鈣中的鈣得到層狀硅氧烯材料;將制備的層狀硅氧烯材料分散在電解質(zhì)溶液中,然后抽濾、干燥、高溫煅燒,得到性能調(diào)控的2D層狀SiOx材料。本發(fā)明制備工藝簡(jiǎn)單,流程少,對(duì)設(shè)備要求不高,易于產(chǎn)業(yè)化大量生產(chǎn),并且得到的2D層狀SiOx材料不需包覆可以直接用作鋰離子電池
負(fù)極材料,并能表現(xiàn)出優(yōu)異的
電化學(xué)性能。
聲明:
“2D片層狀SiOx材料性能調(diào)控方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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