一種制造合成CVD金剛石材料的方法，所述方法包括：設(shè)置微波等離子體反應(yīng)器，所述微波等離子體反應(yīng)器包括：等離子體腔；一個或多個基底，所述一個或多個基底設(shè)置在所述等離子體腔中，在使用時提供所述合成CVD金剛石材料在其上沉積的生長表面區(qū)域；微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)，所述微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)用于將微波從微波發(fā)生器進給到所述等離子體腔內(nèi)；以及氣體流動系統(tǒng)，所述氣體流動系統(tǒng)用于將工藝氣體進給到所述等離子體腔內(nèi)和將所述工藝氣體從所述等離子體腔中移除；將工藝氣體注入到所述等離子體腔內(nèi)；通過所述微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)將微波從所述微波發(fā)生器進給到所述等離子體腔內(nèi)以在所述生長表面區(qū)域上形成等離子體；以及在所述生長表面區(qū)域上生長合成CVD金剛石材料，其中，所述工藝氣體包括從硼、硅、硫、磷、鋰、和鈹中的一種或多種選取的呈氣體形式的以等于或大于0.01ppm的濃度存在的至少一種摻雜劑和/或以等于或大于0.3ppm的濃度存在的氮，其中，所述氣體流動系統(tǒng)包括氣體入口，所述氣體入口包括與所述生長表面區(qū)域相對設(shè)置且配置為將工藝氣體朝向所述生長表面區(qū)域注入的一個或多個氣體入口噴嘴，以及其中，所述工藝氣體以等于或大于500標(biāo)準(zhǔn)cm3/min的總氣體流速朝向所述生長表面區(qū)域注入，和/或其中所述工藝氣體以范圍為從1至100的雷諾數(shù)通過所述氣體入口噴嘴或每個氣體入口噴嘴注入到所述等離子體腔內(nèi)。